


Kit De Memórias Kingston - 12 Gbs / Khx1600c9d3k3/12gx
O que você precisa saber sobre este produto
- Memória com formato DIMM.
- Consegue uma velocidade de 1600 MHz.
Características do produto
Capacidade total: 12 GB
Formato: DIMM
Velocidade: 1600 MHz
Características gerais
Marca | Kingston |
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Modelo | KHX1600C9D3K3 |
Módulos de memória RAM | 3 |
Capacidade total | 12 GB |
Capacidade individual | 4 GB |
Especificações
Formato da memória RAM | DIMM |
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Velocidade da memória RAM | 1.600 MHz |
Outros
Modelo detalhado | KHX1600C9D3K3/12GX |
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Descrição
O KHX1600C9D3K4/16GX da Kingston é um kit de três módulos de memória triplo-canal com 4 GB cada. DDR3-1600 CL9 SDRAM (SDRAM). Cada kit de módulo suporta Intel® XMP (Extreme Memory Profiles).
A capacidade total do kit é de 12 GB.
Cada kit de módulo foi testado para rodar em DDR3-1600 em um tempo de baixa latência de 9-9-9-27 a 1,65 V. Os SPDs são programados para o tempo de latência DDR3-1600 padrão JEDEC de 11-11-11 a 1,5 V.
Cada DIMM possui 240 pinos com contatos de ouro e requer
+1,5 V. As especificações elétricas e mecânicas padrão JEDEC são as seguintes:
Condição - usado / 10 anos
Condição operacional - energia limpa e estável atráves de nobreaks e fonte de energia corsair padrao 80+ de 1000W
*Os modulos não são vendidos individualmente, apenas o kit completo com 3 unidades.
* A embalagem original em acetato rígido não está disponível.
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ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS:
CL(IDD) - 11 ciclos
Row Cycle Time (tRCmin) - 48.125ns (min)
Refresh to Active/Refresh - 260ns (min)
Command Time (tRFCmin) - 260ns (min)
Row Active Time (tRASmin) - 35ns (mins)
Maximum Operating Power - TBD W* (por modulo)
UL Rating - 94V - 0
Operating Temperature - (0º C to +85º C)
Storage Temperature - (-55º C to +100º C)
• JEDEC standard 1.5V (1.425V ~ 1.575V) Power Supply
• VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
• 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin
• 8 independent internal banks
• Programmable CAS latency: 11, 10, 9, 8, 7, 6
• Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clock
• 8-bit pre-fetch
• Burst Length: 8 (interleave without any limit, sequential with
starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not
allow seamless read or write (either on the fly using A12 or
MRS)
• Bi-directional Differential Data Strobe
• Internal (self) calibration: Internal self calibration through ZQ
pin (RZQ: 240 ohm ± 1%)
• On Die Termination using ODT pin
• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C,
3.9us at 85°C < TCASE < 95°Cº
• Asynchronous Reset
• PCB: Height 1.180” (30.00mm), single sided component