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Características do produto

Características principais

Marca
ST
Modelo
IRF7314
Código do transistor
IRF7314

Outros

Tipo de encapsulamento
Montagem em Superfície (SMD)

Descrição

Processamento para alcançar baixa resistência por área de silício. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o design de dispositivos robustos que os MOSFETs de energia são bem conhecidos, fornece ao designer um dispositivo extremamente eficiente e confiável para utilização em uma grande variedade de aplicações.

O SO-8 foi modificado via um leadframe personalizado para características térmicas aprimoradas e capacidade de multi-die, tornando-o ideal em uma variedade de aplicações de energia. Com essas melhorias, vários dispositivos podem ser utilizados em um aplicativo com espaço de placa drasticamente reduzido. O pacote foi projetado para técnicas de fase de vapor, infravermeverso ou soldagem de ondas.

- Geração V Tecnologia
- Ultra Baixa Resistência
- Dual P-Channel MOSFET
- Surface Mount
- Totalmente Avalanche Rated

Especificações Técnicas:

TRANSISTOR IRF 7314 SMD

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