Ci Memória Ddr2 Sdram 512mb 400mhz Samsung K4t51163qj-bie6

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Ci Memória Ddr2 Sdram 512mb 400mhz Samsung K4t51163qj-bie6

O que você precisa saber sobre este produto

Unidades por kit: 1
Formato de venda: Unidade
Faixa de temperatura de operação: 0°C mínima - 85°C máxima.
Temperatura máxima de operação de 85°C.
Temperatura mínima de operação de 0°C.
Salida de voltagem de 1.7V - 1.9V.
Salida de voltagem mínima de 1.7V.
Salida de voltagem máxima de 1.9V.

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Características do produto

Marca	Samsung
Modelo	K4T51163QJ-BIE6
Tipo de circuito	Ci memória
Número de peça do dispositivo	K4T51163QJ-BIE6
Formato de venda	Unidade

Voltagem mínima de saída - Voltagem máxima de saída	1.7V - 1.9V
Temperatura máxima de operação	85 °C
Temperatura mínima de operação	0 °C

Descrição

Apresentamos o módulo de memória 'Ci Memória DDR2 SDRAM 512MB 400MHz Samsung K4T51163QJ-BIE6', uma solução ideal para quem busca desempenho e confiabilidade. Com um tamanho de memória de 512Mbit e uma largura de barramento de dados de 16bit, este componente garante uma operação eficiente em sistemas compatíveis. A frequência de operação máxima de 400MHz proporciona uma resposta rápida, enquanto o tempo de acesso de 400ps assegura agilidade nas tarefas. Este módulo é fabricado pela renomada Samsung, conhecido por sua qualidade e inovação. Com uma temperatura operacional que varia de 0°C a 85°C, é adequado para diversas aplicações. Além disso, opera com uma tensão de alimentação mínima de 1.7V e máxima de 1.9V, garantindo segurança e estabilidade. Este item é novo e não faz parte de um kit, sendo uma escolha perfeita para upgrades ou reparos em dispositivos eletrônicos.