Igbt Bsm25gd120dn2
O que você precisa saber sobre este produto
- Alta eficiência em aplicações de potência.
- Ideal para circuitos de controle e conversão de energia.
Características do produto
Características principais
Marca | Infineon |
|---|---|
Modelo | Bsm25gd120dn2 |
Outros
Tipo de módulo IGBT | Simple |
|---|---|
Altura | 1,8 cm |
Largura | 4,5 cm |
Comprimento | 10,7 cm |
Peso | 180 g |
Descrição
O BSM25GD120DN2 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de 1200 V e 25 A, projetado pela Infineon Technologies para aplicações de média-alta potência. Integra 2 IGBTs com diodos antiparalelos em configuração de meia ponte, ideal para conversores, inversores e sistemas de controle de motores.
Principais características:
✔ Tensão nominal:
V<sub>CES</sub>: 1200V (coletor-emissor).
V<sub>GE</sub>: ±20V (tensão de porta).
✔ Atual:
I<sub>C</sub>: 25A (contínuo a 25°C).
I<sub>CM</sub>: 50A (pico).
✔ Perdas:
Perdas de condução (V<sub>CE(sat)</sub>): 1,85 V típico (a 25 A).
Perdas de comutação: baixas graças à tecnologia TrenchStop™.
✔ Diodos integrados:
Diodo rápido antiparalelo (Emissor-Coletor).
V<sub>F</sub>: 1,7 V (típico).
Vendido por LOJA LABMASTER
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