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Infineon Módulo Igbt Fp50r06w2e3 5.5 x 4.5cm
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O que você precisa saber sobre este produto
- Alta eficiência energética, ideal para aplicações industriais.
- Excelente desempenho em altas temperaturas e tensões.
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Características do produto
Características principais
Marca | Infineon |
|---|---|
Modelo | Fp50r06w2e3 |
Outros
Altura | 1 cm |
|---|---|
Largura | 4,5 cm |
Comprimento | 5,5 cm |
Peso | 0,44 g |
Descrição
Fabricante: Infineon
Categoria do Produto: Módulos IGBT
Produto: Módulos de Silício IGBT
Configuração: Inversor Trifásico
Tensão Coletor-Emissor VCEO Máx: 600 V
Tensão de Saturação Coletor-Emissor: 1,45 V
Corrente Contínua do Coletor a 25 °C: 65 A
Corrente de Fuga Gate-Emissor: 400 nA
Dissipação de Potência Pd: 175 W
Pacote / Caso: Módulo
Temperatura Mínima de Operação: -40 °C
Temperatura Máxima de Operação: +150 °C
Embalagem: Tray
Marca: Infineon Technologies
Tensão Máxima Gate-Emissor: 20 V
Estilo de Montagem: SMD/SMT
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Série: Trench/Fieldstop IGBT3 - E3
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si
Nome Comercial: EasyPIM
Parte # Aliases: SP000375909 FP50R06W2E3BOMA1
Peso Unitário: 39 g
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