Memoria 8gb Ddr3 1600 Cl11 1.35v 2rx4 Servidor Samsung

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Memoria 8gb Ddr3 1600 Cl11 1.35v 2rx4 Servidor Samsung

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O que você precisa saber sobre este produto

Memória com formato RDIMM.
Consegue uma velocidade de 1.6 GHz.
Apta para servidores.
Linha 2RX4.

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Características do produto

Capacidade total: 8 GB

Formato: RDIMM

Velocidade: 1.6 GHz

Marca	Samsung
Linha	2RX4
Modelo	M393B1K70QB0-CK0
Módulos de memória RAM	1
Capacidade total do módulo de memória RAM	8 GB
Capacidade individual	8 GB

Tipo da memória RAM	DDR3 SDRAM
Formato da memória RAM	RDIMM
Velocidade da memória RAM	1,6 GHz

Modelo detalhado	M393B1K70QB0-CK0

Descrição

Memória 8Gb Ddr3 1600 Cl11 1.35V 2Rx4 Servidor M393B1K70QB0-CK0 Samsung

Os módulos de memória da Samsung são projetados para uma ampla gama de aplicativos para oferecer o melhor desempenho com baixos requisitos de energia.

Características:
- Marca: Samsung
- Modelo: M393B1K70QB0-CK0

Especificações:
- Tecnologia de memória: DDR3
- Capacidade: 8 GB
- Número de módulos: 1 x 8 GB
- Velocidade: 1600 Mbps
- Verificação de integridade de dados: ECC
- No. de Pin: 240
- Status do produto: EOL
- Tipo Dimm: RDIMM
- Rank x Org.: 2R x 4
- Latência: CL11
- Voltagem: 1,5 V / 1,35 V
- Suporte de plataforma: servidor
- Composição do Componente: (512M x 4) x 36

- Imagens Meramente Ilustrativas.

Garantia:
- 3 meses de garantia conforme certificado de garantia.

Informações de Acordo com o Fabricante.

Garantia de fábrica: 90 dias