Memoria Notebook 4gb Ddr3l 1600mhz Kingston - Kvr16ls11/4
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Cor:Verde-escuro
O que você precisa saber sobre este produto
- Unidades por kit: 1
- Otimize o desempenho da sua máquina com a tecnologia SODIMM.
- Memória com formato SODIMM.
- Consegue uma velocidade de 1.6 GHz.
- Linha ValueRAM.
- Conta com uma taxa de transferência de 12.8 GB/s.
Características do produto
Capacidade total: 4 GB
Formato: SODIMM
Velocidade: 1.6 GHz
Características principais
Formato de venda | Unidade |
|---|
Especificações
Tipo da memória RAM | SODIMM |
|---|---|
Formato da memória RAM | SODIMM |
Velocidade da memória RAM | 1,6 GHz |
Com memória gráfica ECC | Não |
Outros
Modelo detalhado | KVR16LS11/4 |
|---|---|
Voltagem de alimentação | 1.35V |
Latência CAS | 11 |
Taxa de transmissão | 12,8 GB/s |
Características gerais
Marca | Kingston |
|---|---|
Linha | ValueRAM |
Modelo | KVR16LS11/4 |
Módulos de memória RAM | 1 |
Capacidade total do módulo de memória RAM | 4 GB |
Capacidade individual | 4 GB |
Outros
Velocidade de transferência de dados da memória RAM | 12,8 GB/s |
|---|---|
Com AMD EXPO | Não |
Com dissipador de calor | Não |
Velocidade testada | 1.600 MHz |
Latência testada | 11 |
Descrição
MEMORIA NOTEBOOK 4GB DDR3L 1600MHZ KINGSTON SODIMM - KVR16LS11/4
Características:
- Marca: Kingston
- Modelo: KVR16LS11/4
Especificações Técnicas:
Temperatura
- Temperatura de Operação: 0oC a 85oC
- Temperatura de Armazenamento: -55oC a +100oC
- Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C < TCASE < 95°C
Energia
- Tensão padrão JEDEC: 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~ 1.575V) VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~1.575V) 800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin 8 bancos internos independentes
- Consumo de energia :2.376 W* UL
Latência
- Latência CAS Programável:11, 10, 9, 8, 7, 6
- Latência programável adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock 8-bit pre-fetch
Geral
- CL(IDD): 11 ciclos
- Row Cycle Time (tRCmin): 48.125ns (mín.)
- Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.)
- Row Active Time (tRASmin): 35ns (min.)
- Rating: 94 V - 0
- Burst Length: 8 (Interleave sem limitação, apenas sequencial com endereço inicial 000), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS]
- Data Strobe Diferencial bi-direcional
- Auto Calibração Interna: através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
- Terminação no Die usando o pino ODT
- Reset assíncrono PCB: Altura 1.180 (30mm), com componentes de ambos os lados
Conteúdo da Embalagem:
- Memória RAM Para Notebook Kingston
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