
Memoria Ram DDR3 4GB 1333MHz Kingston p/ notebook Kvr13s9s8/4
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O que você precisa saber sobre este produto
- Otimize o desempenho da sua máquina com a tecnologia DDR3 SDRAM.
- Formato de memória SODIMM.
- Adequado para notebooks.
- Linha de notebooks.
- Atinge uma velocidade de 1.333 GHz.
- Tem uma taxa de transferência de 10.6 GB/s.
Opções de compra:
Características do produto
Capacidade total: 4 GB
Formato: SODIMM
Velocidade: 1.333 GHz
Características gerais
Marca | Kingston |
---|---|
Linha | Notebook |
Modelo | KVR13S9S8/4 |
Módulos de memória RAM | 1 x 4 GB |
Capacidade total do módulo de memória RAM | 4 GB |
Capacidade individual | 4 GB |
Outros
Velocidade de transferência de dados da memória RAM | 10,66 GB/s |
---|
Especificações
Tipo da memória RAM | DDR3 SDRAM |
---|---|
Formato da memória RAM | SODIMM |
Velocidade da memória RAM | 1,33 GHz |
Com memória gráfica ECC | Não |
Outros
Modelo detalhado | KVR13S9S8/4 |
---|---|
Voltagem de alimentação | 1.5V |
Latência CAS | 9 |
Taxa de transmissão | 10,6 GB/s |
Descrição
Módulo de memória Original Kingston Brasil com garantia vitalícia oferecida pelo Kigston.
Atenção: antes de comprar, verifique se seu notebook tem o slot disponível para acrescentar, caso contrário, se tiver apenas 1 slot e se ele estiver ocupado, você deverá retirar a memória antiga para colocar a nova, ou seja, só vai valer a pena se ela estiver com defeito ou se for de 2GB.
Módulo de memória DDR3-1333 CL9 SDRAM (DRAM Síncrono) de 512M x 64 bits (4GB) da ValueRAM, 1Rx8, baseado em oito componentes de 512M x 8 bits DDR3-1333 FBGA. O SPD é programado para a latência padrão JEDEC com temporização DDR3-1333 de 9-9-9 a 1,5V. Este SODIMM de 204 pinos utiliza contatos de ouro. As especificações elétricas e mecânicas são as seguintes:
• Fonte de alimentação padrão JEDEC de 1,5V (1,425V ~1,575V)
• VDDQ = 1,5V (1,425V ~ 1,575V)
• 667MHz fCK para 1333Mb/seg/pino
• 8 bancos internos independentes
• Latência CAS programável: 9, 8, 7, 6
• Latência Aditiva programável: 0, CL - 2 ou CL - 1 clock
• Latência de Escrita CAS (CWL) programável = 7 (DDR3-1333)
• Pré-busca de 8 bits
• Burst Length: 8 (Entrelaçado sem limite, sequencial apenas com endereço inicial "000"), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita contínua [seja na hora usando A12 ou MRS]
• Strobe de Dados Diferencial Bidirecional
• Calibração (auto) interna: Calibração automática interna através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
• Terminação On Die usando o pino ODT
• Período de Refresh Médio 7,8us a menos de TCASE 85°C, 3,9us a 85°C < TCASE < 95°C
• Reset assíncrono
• PCB: Altura 1,18" (30mm), componente de face dupla
Vendido por ROBIJUDALU
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