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Memória Ram Notebook Ntc 16gb Ddr4 2666 Mhz 1.2v

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O que você precisa saber sobre este produto

  • Memória com formato SODIMM.
  • Consegue uma velocidade de 2.666 GHz.
  • Apta para notebooks.
  • Linha NTCKF2666ND4-16GB.
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Características do produto

Capacidade total: 16 GB

Formato: SODIMM

Velocidade: 2.666 GHz

Características gerais

Marca
NTC
Linha
NTCKF2666ND4-16GB
Modelo
NTCKF2666ND4-16GB
Módulos de memória RAM
1
Capacidade total do módulo de memória RAM
16 GB
Capacidade individual
16 GB

Especificações

Tipo da memória RAM
DDR4
Formato da memória RAM
SODIMM
Velocidade da memória RAM
2,67 GHz

Outros

Voltagem de alimentação
1.2V

Descrição

Memória RAM Notebook NTC 16GB DDR4 2666 Mhz 1.2V NTCKF2666ND4-16GB

A Memória RAM NTC NTCKF2666ND4-16GB apresenta alta qualidade e estabilidade para abrir seus programas de maneira mais rápida e eficaz com uma capacidade de 16GB, frequência de 2666MHz e latência CL19. A Memória RAM NTC pode ser usada em plataformas Intel e AMD em sistemas DDR4 de 1.2V no formato SODIMM.

Características Memória Notebook NTC 16GB DDR4 2666 Mhz
- Modelo: NTCKF2666ND4-16GB

Especificações Memória Notebook NTC 16GB DDR4 1.2V
- Capacidade: 16GB
- Frequência: 2666MHz
- Formato: SODIMM - 260 PIN
- CAS: CL19
- Voltagem: 1.2V
- ECC: Non-ECC
- Buffer: Unbuffered
- VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV
- VPP = 2.5V, - 125mV/+ 250mV
- Interno
- Geração VREFDQ ajustável
- 1.2V pseudo open-drain I/O
- Temperatura: 0°C a 85°C
- 16 bancos internos (x4, x8): 4 grupos de 4 bancos cada
- 8n-bit de arquitetura prefetch
- Dados programáveis de introdução strobe
- Treinamento de introdução de dados strobe
- Latência de Comando/Endereço (CAL)
- Capacidade de registro geral de leitura e escrita
- Nivelamento de escrita e leitura
- Modo atualização automática
- Atualização automática de baixo consumo de energia (LPASR)
- Atualização de temperatura controlada (TCR)
- Atualização de granularidade fina
- Abortar atualização automática
- Economia máxima de energia
- Calibração do driver de saída
- Terminação nominal, estacionada e dinâmica na matriz (ODT)
- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
- Paridade Comando/Escrita (CA)
- Verificação de redundância cíclica de gravação do barramento de dados
- Endereçamento por DRAM
- Modos de reparo pós-embalagem (PPR) e reparo pós-embalagem suave (sPPR)
- Compatível com JEDEC JESD-79-4'.

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