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Memória RAM ValueRAM verde 16GB 1 Kingston KVR32S22S8/16

RECOMENDADO

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Cor:Verde

O que você precisa saber sobre este produto

  • Memória com formato SODIMM.
  • Consegue uma velocidade de 3.2 GHz.
  • Apta para notebooks.
  • Linha ValueRAM.
  • Conta com uma taxa de transferência de 25.6 GB/s.
  • Compatível com Intel Core.
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Opções de compra:

Características do produto

Capacidade total: 16 GB

Formato: SODIMM

Velocidade: 3.2 GHz

Características gerais

Marca
Kingston
Linha
ValueRAM
Modelo
KVR32S22S8/16
Módulos de memória RAM
1
Capacidade total do módulo de memória RAM
16 GB
Capacidade individual
16 GB

Outros

Velocidade de transferência de dados da memória RAM
3,2 MB/s

Especificações

Tipo da memória RAM
DDR4 SDRAM
Formato da memória RAM
SODIMM
Velocidade da memória RAM
3,2 GHz
Com memória gráfica ECC
Não

Outros

Modelo detalhado
Kingston
Voltagem de alimentação
1.2V
Latência CAS
22
Taxa de transmissão
25,6 GB/s

Descrição

Memória Para Notebook Kingston 16GB 3200MHz DDR4 CL22 KVR32S22S8/16

O KVR32S22S8/16 da Kingston é um módulo de memória SODIMM DDR4-3200 2G x 64 bits (16GB) CL22 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx8, com base em oito componentes FBGA 2G x 8bits. O SPD é programado para latência padrão JEDEC DDR4-3200 tempo de 22-22-22 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pinos utiliza contatos de ouro.

Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS)

Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)
Topologia fly-by
Comando de controle terminado e barramento de endereço
PCB: Altura 1,23 (30,00 mm)
Compatível com RoHS e livre de halogênio

Especificações:

Classificação
UL: 94 V-0
CL: 22 ciclos

Timings
Tempo de ciclo de linha: 45,75ns (min.)
Tempo de comando de refresh: 350ns (min.)
Tempo de linha ativa: 32ns (min.)

Temperaturas
Temperatura de operação: 0°C a +85°C
Temperatura de armazenamento: -55°C a +100°C.

Recursos
Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típica
VDDQ = 1,2 V típico
VPP = 2,5 V típico
VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para dados, strobe e sinais de máscara
Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
Geração e calibração de VREFDQ na matriz
Single-rank
EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD)
16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada
Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS)
Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)
Topologia fly-by
Comando de controle terminado e barramento de endereço
PCB: Altura 1,23 (30,00 mm)
Compatível com RoHS e livre de halogênio

Imagens de caráter ilustrativo

Informações divulgadas de acordo com o manual do fabricante

EAN: 740617310894

NAC010393

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Opiniões do produto

Avaliação 4.8 de 5. 115 opiniões.

Avaliação de características

Custo-benefício

Avaliação 4.6 de 5

Fácil de instalar

Avaliação 4.7 de 5

Velocidade de uso

Avaliação 4.7 de 5

Opiniões em destaque

26 comentários

A memória é elogiada por seu excelente custobenefício e desempenho sem problemas, proporcionando uma velocidade adequada. É destacada por funcionar perfeitamente em upgrades, melhorando significativamente a rapidez de dispositivos como notebooks. Além disso, a compatibilidade e o funcionamento conforme descrito são frequentemente mencionados.

Resumo de opiniões gerado por IA

Avaliação 4 de 5

02 nov. 2023

Avaliação 5 de 5

28 jun. 2023

Avaliação 5 de 5

15 mar. 2025

Avaliação 5 de 5

18 abr. 2025

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16 abr. 2025