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Descrição
Fabricante: Infineon
Categoria do Produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de Montagem: SMD/SMT
Pacote / Caso: PQFN 2x2 (DFN2020)
Polaridade do Transistor: N-Canal
Número de Canais: 1 Canal
Vds - Tensão de Ruptura Dreno-Fonte: 30 V
Id - Corrente de Dreno Contínua: 19 A
Rds Em - Resistência Dreno-Fonte: 25 mOhms
Vgs - Tensão Fonte-Gate: - 20 V, 20 V
Vgs th - Tensão de Limiar Fonte-Gate: 2.35 V
Qg - Carga de Gate: 4.2 nC
Temperatura de Operação Mínima: - 55 C
Temperatura de Operação Máxima: 150 C
Pd - Dissipação de Potência: 2.1 W
Modo de Canal: Melhoria
Marca Comercial: StrongIRFET
Série: N-Canal
Embalagem: Carretel
Embalagem: Fita Cortada
Embalagem: MouseReel
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Único
Tempo de Queda: 5 ns
Transcondutância Adiante - Min: 18 S
Altura: 0.9 mm
Comprimento: 2 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de Subida: 15 ns
Tags de IRH8342: IRFHS8342TRPBF, IRFHS8342, IRS8342, IRH8342.
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