Mosfet Ra18b Sira18bdp Nch 30v 40a So8 Smd Sira18bdp-t1-ge3
O que você precisa saber sobre este produto
- Unidades por kit: 1
- Formato de venda: Unidade
- Voltagem máxima suportada: 30V.
- Corrente máxima suportada: 40A.
Características do produto
Características principais
Marca | Vishay |
|---|---|
Modelo | SIRA18BDP-T1-GE3 |
Código do transistor | SIRA18BDP-T1-GE3 |
Formato de venda | Unidade |
Outros
Tipo de encapsulamento | Montagem em Superfície (SMD) |
|---|---|
Voltagem máxima suportada | 30V |
Corrente máxima suportada | 40 A |
Polaridade | N-Channel |
Descrição
Part Numbers: SIRA18BDP-T1-GE3, RA18B, SIRA18BDP, SIRA18B
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFETs
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: PowerPAK-SO-8
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1
Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30V
Corrente de drenagem contínua: 40A
Fonte de drenagem na resistência: 6.83mOhms
Tensão de limite porta e fonte: 2.4V
Carga na porta: 12.2nC
Temperatura operacional mínima: -55C
Temperatura operacional máxima: 150C
Dissipação de potência: 17W
Transcondutância em avanço mín: 42S
Tempo de queda: 5ns
Tempo de ascensão: 5ns
Tempo de retardo de desligamento típico: 15ns
Tempo de retardo de acionamento típico: 8ns
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