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Transistor Fet Mosfet Irf640 (4 Peças) Irf 640 Irf-640
O que você precisa saber sobre este produto
- Unidades por kit: 1
- Formato de venda: Unidade
- Voltagem máxima suportada: 200V.
- Corrente máxima suportada: 18A.
- Potência máxima suportada: 1W.
Características do produto
Características principais
Marca | Xiaomi |
|---|---|
Modelo | TO220 |
Código do transistor | IRF-640 |
Formato de venda | Unidade |
Outros
Tipo de encapsulamento | TO-220 |
|---|---|
Voltagem máxima suportada | 200V |
Corrente máxima suportada | 18 A |
Potência máxima suportada | 1 W |
Polaridade | NPN |
Descrição
Transistor IRF640 (4 Peças) IRF6 RF640 F640
* IRF640 MOSFET
* Channel: N (Pd): 125 W |Vds|: 200 V |Vgs|: 20 V
* |Vgs (th)|: 4 V |Id|: 18 A (Tj): 150 °C
* (Qg): 55 nC (Cd): 2100 pF (Rds): 0.18 Ohm
* MOS FET Canal N Uso diverso
* Equiv. BUZ30A
Este kit contém 4 peças do transistor IRF640, ideal para diversas aplicações eletrônicas. Com homologação Anatel Nº:2352012156, garante qualidade e confiabilidade. Este transistor MOSFET de canal N suporta uma corrente máxima de 18 A e uma potência máxima de 125 W, com uma voltagem máxima de 200 V. O modelo TO220 é conhecido por sua eficiência e durabilidade. A resistência Rds é de apenas 0.18 Ohm, garantindo baixa dissipação de energia. Este produto é novo e original, perfeito para projetos que exigem alta performance. Equivalente ao BUZ30A, é uma excelente escolha para suas necessidades eletrônicas.
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