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Transistor Gt50jr22 Igbt Gt 50jr22

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O que você precisa saber sobre este produto

  • Unidades por kit: 1
  • Formato de venda: Unidade
  • Voltagem máxima suportada: 1V.
  • Corrente máxima suportada: 1A.
  • Potência máxima suportada: 1W.
Ver características

Características do produto

Características principais

Marca
Toshiba
Modelo
TOSHIBA
Código do transistor
GT50JR22
Formato de venda
Unidade

Outros

Tipo de encapsulamento
1
Voltagem máxima suportada
1V
Corrente máxima suportada
1 A
Potência máxima suportada
1 W
Polaridade
1

Descrição

Apresentamos o Transistor GT50JR22, um IGBT de alta qualidade da renomada marca Toshiba, ideal para diversas aplicações em circuitos eletrônicos. Este componente eletrônico é projetado para suportar uma corrente máxima de 1 A e uma potência máxima de 1 W, garantindo eficiência e confiabilidade em seu desempenho. Com uma voltagem máxima suportada de 1V, o GT50JR22 é perfeito para projetos que exigem precisão e segurança. O encapsulamento do transistor é do tipo 1, facilitando sua integração em diferentes montagens. Lembre-se de verificar as características físicas dos componentes antes da compra para garantir a compatibilidade com seu projeto. A imagem do produto é meramente ilustrativa e pode não representar exatamente o item recebido. Para qualquer dúvida ou mais informações, nossa equipe está à disposição para ajudar.

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