
Transistor Irfb4332 Mosfet Canal N To220 Fb4332
O que você precisa saber sobre este produto
- Unidades por kit: 1
- Formato de venda: Unidade
- Voltagem máxima suportada: 250V.
- Corrente máxima suportada: 120A.
Características do produto
Características principais
Marca | Pci Eletro Parts |
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Modelo | IRFB4332 |
Código do transistor | IRFB4332 |
Formato de venda | Unidade |
Outros
Tipo de encapsulamento | Furo passante (TH) |
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Voltagem máxima suportada | 250V |
Corrente máxima suportada | 120 A |
Descrição
Transistor IRFB4332
Itens Inclusos:
Transistor IRFB4332
Descrição:
O IRFB4332 é um transistor MOSFET de potência de canal N projetado para aplicações de comutação de alta potência. Com uma tensão de dreno-fonte (VDS) de até 150 volts e uma corrente de dreno contínua (ID) de até 160 amperes, o IRFB4332 é capaz de lidar com altas correntes e tensões, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações de potência.
Este transistor MOSFET apresenta uma baixa resistência de condução (RDS(on)), resultando em menor dissipação de energia e maior eficiência em circuitos de comutação. Possui uma tensão de acionamento de porta (VGS) de até 20 volts e uma corrente de acionamento de porta (IG) de até 25 amperes, permitindo um controle eficaz do transistor.
O IRFB4332 é amplamente utilizado em aplicações como fontes de alimentação chaveadas, inversores de potência, sistemas de conversão de energia, acionamentos de motor e outros sistemas de potência de alta corrente. Sua capacidade de lidar com altas correntes, baixa resistência de condução e resposta rápida o tornam uma escolha popular em aplicações que exigem alta eficiência e desempenho em comutação de potência.
Ficha Técnica:
- Tipo de dispositivo: Transistor MOSFET de potência de canal N
- Tensão de dreno-fonte (VDS): Até 200 volts
- Corrente de dreno contínua (ID): Até 100 amperes
- Resistência de condução (RDS(on)): Valor específico não fornecido
- Tensão de acionamento de porta (VGS): Valor específico não fornecido
- Corrente de acionamento de porta (IG): Valor específico não fornecido
TODOS OS NOSSOS COMPONENTES SÃO TESTADOS EM BANCADA. Os IGBTs, em especial, são submetidos a quatro testes:
- Teste dos Diodos
- Teste de Capacitância Gate-Source
- Teste de Isolação Coletor-Emissor
- Teste de Detecção de Curtos
PEDIMOS QUE A INSTALAÇÃO/SUBSTITUIÇÃO SEJA FEITA POR UM TÉCNICO ESPECIALIZADO
Assegure-se de que as condições de instalação sejam adequadas às especificações do Módulo IGBT. Revise também o circuito de disparos (comutação) do placa do equipamento. Caso haja defeito nos gates, isso pode levar a uma queima do novo módulo.
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