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Transistor Irfb9n60apbf

O que você precisa saber sobre este produto

Voltagem máxima suportada: 600V.
Corrente máxima suportada: 9A.
Potência máxima suportada: 170W.

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Características do produto

Marca	Genérica
Modelo	TRANSISTOR IRFB9N60APBF
Código do transistor	IRFB9N60APBF

Tipo de encapsulamento	TO220
Voltagem máxima suportada	600V
Corrente máxima suportada	9 A
Potência máxima suportada	170 W
Polaridade	N

Descrição

Fabricante: Vishay/IR
Categoria do produto: MOSFETs
Embalagem / Caixa: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 600 V
Id - Corrente de Dreno Contínua: 9.2 A
Rds On - Resistência Dreno-Fonte: 750 mOhms
Vgs - Tensão de porta-fonte: - 30 V, + 30 V
Vgs th - Tensão de limiar de porta-fonte: 4 V
Qg - Taxa de portão: 49 nC
Temperatura mínima de operação: - 55 C
Temperatura máxima de operação: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 170 W
Marca: Vishay Semicondutores
Tempo de Outono: 22 ns
Altura: 15,49 milímetros
Comprimento: 10,41 milímetros
Tempo de subida: 25 ns
Série: IRFB
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo típico de atraso de desligamento: 30 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 13 ns
Largura: 4,7 milímetros
Peso unitário: 2 g

Garantia do vendedor: 60 dias