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Transistor Pra K50eh5 Irgp4063 K40eh5 K40h603 40n65

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  • Unidades por kit: 1
  • Formato de venda: Unidade
  • Voltagem máxima suportada: 600V.
  • Corrente máxima suportada: 96A.
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Características do produto

Características principais

Marca
Pci Eletro Parts
Modelo
IRGP4063
Código do transistor
IRGP4063
Formato de venda
Unidade

Outros

Tipo de encapsulamento
Furo passante (TH)
Voltagem máxima suportada
600V
Corrente máxima suportada
96 A

Descrição

Transistor IRPG4063

Itens Inclusos:
01 UN. Transistor IRPG4063

Descrição:
O IRPG4063 é um retificador de diodo de alta potência projetado para aplicações de retificação de alta corrente. Ele é amplamente utilizado em fontes de alimentação, retificadores industriais, sistemas de conversão de energia e outras aplicações de potência elevada que exigem um retificador confiável e eficiente.
Este retificador de diodo possui uma tensão de bloqueio direta (VRRM) de 600 volts e uma corrente média de avanço (IF(AV)) específica para o modelo. Ele apresenta uma baixa resistência direta (VF) para reduzir a dissipação de energia e melhorar a eficiência do sistema.
O IRPG4063 tem uma alta taxa de recuperação reversa (dV/dt), o que o torna adequado para operação em altas frequências e transições rápidas de corrente. Isso é especialmente importante em aplicações de comutação de alta potência, onde a resposta rápida é necessária.
O encapsulamento do IRPG4063 pode variar de acordo com o fabricante, sendo comuns os tipos TO-220, TO-247 e outros encapsulamentos de alta potência. Esses encapsulamentos são projetados para fornecer boa dissipação de calor e melhorar o desempenho em altas temperaturas.

Ficha Técnica:
- Tipo de transistor: NPN (Polaridade Negativa-Positiva-Negativa)
- Tensão máxima de coletor-emissor (VCEO): 400 volts
- Tensão máxima de base-emissor (VBE): 5 volts
- Corrente máxima de coletor contínua (IC): 8 amperes
- Ganho de corrente DC (hFE): 25 a 75 (tipicamente)
- Potência máxima dissipada (PD): 80 watts
- Resistência de saturação (RCE(sat)): Valor típico de resistência entre o coletor e o emissor quando o transistor está completamente ligado
- Encapsulamento: TO-220

TODOS OS NOSSOS COMPONENTES SÃO TESTADOS EM BANCADA. Os IGBTs, em especial, são submetidos a quatro testes:
- Teste dos Diodos
- Teste de Capacitância Gate-Source
- Teste de Isolação Coletor-Emissor
- Teste de Detecção de Curtos

Assegure-se de que as condições de instalação sejam adequadas às especificações do Módulo IGBT. Revise também o circuito de disparos (comutação) do placa do equipamento. Caso haja defeito nos gates, isso pode levar a uma queima do novo módulo.

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